原標(biāo)題：HBM新變局，攪動(dòng)存儲(chǔ)江湖

對(duì)于PC DIY玩家而言，過(guò)去幾個(gè)月可能是近十年來(lái)最糟糕的時(shí)刻。

DDR4和DDR5內(nèi)存價(jià)格不斷飆升，固態(tài)硬盤在悄然跟漲，甚至顯卡廠商也在密謀漲價(jià)，組裝電腦成本每天都在變得昂貴，一部分人選擇繼續(xù)等待，一部分人選擇降配省錢，也有一部分人無(wú)奈選擇高價(jià)買入。

但更壞的消息已經(jīng)出現(xiàn)，美光科技宣布，將在2026年2月底前全面關(guān)閉旗下運(yùn)營(yíng)了29年的Crucial消費(fèi)品牌業(yè)務(wù)，這個(gè)曾經(jīng)在DIY市場(chǎng)上以物美價(jià)廉的原廠品牌，正式退出歷史舞臺(tái)。

這一決定并非突然。美光首席商務(wù)官Sumit Sadana直言不諱地指出；“AI驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)引發(fā)了對(duì)存儲(chǔ)器的需求激增。美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費(fèi)業(yè)務(wù)，以改善對(duì)更大規(guī)模、戰(zhàn)略性客戶的供應(yīng)和支持?！?/p>

在三大原廠之一的美光看來(lái)，消費(fèi)級(jí)內(nèi)存和SSD處于自己產(chǎn)品組合中利潤(rùn)率*的一端，需要在高度波動(dòng)、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中掙扎。相比之下，數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)產(chǎn)品能鎖定長(zhǎng)期合同、更高的平均售價(jià)和更可預(yù)測(cè)的需求。

除此之外，目前AI基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)存儲(chǔ)晶圓的需求早已達(dá)到了前所未有的程度，這意味著每一片分配給消費(fèi)產(chǎn)品的晶圓，都會(huì)造成超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心客戶或企業(yè)合同的交付延誤。而即便是縮減規(guī)模的消費(fèi)業(yè)務(wù)，仍需要*限度的供應(yīng)鏈支持，包括產(chǎn)品開發(fā)、固件驗(yàn)證、合規(guī)測(cè)試、銷售團(tuán)隊(duì)、零售關(guān)系和全球保修運(yùn)營(yíng)，這些固定成本在產(chǎn)量縮減時(shí)幾乎不會(huì)下降。

不止是美光，三星和海力士也是如此，對(duì)于這些巨頭來(lái)說(shuō)，完全關(guān)閉消費(fèi)業(yè)務(wù)、釋放產(chǎn)能和研發(fā)資源用于HBM4/HBM4E、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤和高密度服務(wù)器內(nèi)存模塊，似乎就是最理智的戰(zhàn)略選擇。

美光，打響HBM突圍戰(zhàn)

在宣布退出消費(fèi)市場(chǎng)的同時(shí)，美光正在日本西部籌劃一場(chǎng)規(guī)模*的產(chǎn)業(yè)布局。據(jù)知情人士透露，美光將投資1.5萬(wàn)億日元（約96億美元）在廣島東廣島市建設(shè)下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片生產(chǎn)廠。

這座新工廠計(jì)劃于2026年5月開工建設(shè)，目標(biāo)是在2028年左右開始出貨HBM芯片。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將為該項(xiàng)目提供高達(dá)5000億日元的補(bǔ)貼。這將是美光自2019年以來(lái)建設(shè)的首座新工廠，也被定位為世界上*進(jìn)的HBM芯片生產(chǎn)基地之一。

時(shí)機(jī)的選擇耐人尋味。今年5月，美光已在廣島工廠首次引入極紫外光刻（EUV）系統(tǒng)用于大規(guī)模生產(chǎn)——這是生產(chǎn)先進(jìn)芯片所需的最昂貴制造設(shè)備。而隨著美中對(duì)抗加劇以及臺(tái)灣地緣政治風(fēng)險(xiǎn)上升，美光此前集中在臺(tái)灣的先進(jìn)HBM芯片生產(chǎn)正面臨供應(yīng)鏈多元化的壓力。

日本新廠的建設(shè)，不僅能為美光確保關(guān)鍵的HBM產(chǎn)能，也使日本能夠在國(guó)內(nèi)獲得AI芯片的核心組件供應(yīng)。這座工廠預(yù)計(jì)將幫助美光追趕在HBM技術(shù)領(lǐng)域保持*的韓國(guó)SK海力士。

然而，美光在HBM競(jìng)賽中的處境依然嚴(yán)峻。根據(jù)JPMorgan數(shù)據(jù)，2024年SK海力士占據(jù)55%的HBM市場(chǎng)份額，三星占40%，而美光僅有5%。匯豐銀行的數(shù)據(jù)顯示，美光每月晶圓級(jí)HBM芯片產(chǎn)能約5.5萬(wàn)片，僅為三星（15萬(wàn)片）和SK海力士（16萬(wàn)片）的三分之一。

更糟糕的是，韓媒報(bào)道稱美光的HBM4產(chǎn)品難以滿足英偉達(dá)嚴(yán)苛的性能和能源效率要求，可能迫使公司重新設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)。如果屬實(shí)，這將導(dǎo)致量產(chǎn)計(jì)劃延遲長(zhǎng)達(dá)9個(gè)月，HBM4上市時(shí)間推遲到2026年，并使其無(wú)法按時(shí)完成英偉達(dá)訂單。業(yè)內(nèi)人士指出："美光目前甚至難以滿足英偉達(dá)的訂單量，在結(jié)構(gòu)上根本無(wú)法同時(shí)滿足谷歌ASIC客戶的大規(guī)模需求。"

這也解釋了為何在谷歌TPU供應(yīng)鏈中，美光實(shí)際上已經(jīng)退出——產(chǎn)能限制使其無(wú)法同時(shí)服務(wù)多個(gè)大客戶，最終韓國(guó)企業(yè)在規(guī)模經(jīng)濟(jì)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)了上風(fēng)。

此次關(guān)閉 Crucial 品牌、在日本大手筆擴(kuò)產(chǎn)，是美光為扭轉(zhuǎn)其在 HBM 競(jìng)爭(zhēng)中產(chǎn)能落后局面所采取的關(guān)鍵舉措。消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)的收縮，意味著更多資本、設(shè)備與技術(shù)人力可以投入到 HBM 這條高增長(zhǎng)賽道。顯而易見，這一決策展現(xiàn)了美光對(duì)下一階段競(jìng)爭(zhēng)格局的清晰判斷。

SK海力士，從逆襲到壟斷

SK海力士的HBM之路是一部逆襲史。在2016年的Hot Chips研討會(huì)上，當(dāng)美光工程師尖銳批評(píng)HBM、力推混合內(nèi)存立方體（HMC）時(shí)，SK海力士的演講者只是低調(diào)介紹HBM3計(jì)劃，并暗諷“即使是小玩家也能從大玩家手中搶走糖果”。

那時(shí)很少有人能想象，這個(gè)在HBM2市場(chǎng)遭遇挫折、內(nèi)部士氣低落的公司，會(huì)在幾年后占據(jù)全球HBM市場(chǎng)62%的份額。

轉(zhuǎn)折點(diǎn)是HBM2E，SK海力士認(rèn)識(shí)到HBM需要與傳統(tǒng)DRAM完全不同的開發(fā)方法——必須嚴(yán)格遵守客戶時(shí)間表和規(guī)格，否則什么也賣不出去。公司組建了跨職能任務(wù)小組，高層強(qiáng)調(diào)組織敏捷性和跨團(tuán)隊(duì)協(xié)調(diào)，并在封裝技術(shù)上做出關(guān)鍵改變——從熱壓縮非導(dǎo)電膜轉(zhuǎn)向批量回流模塑底部填充，顯著提升了工藝效率和散熱性能。

另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是定制化能力。雖然HBM遵循JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，但每個(gè)客戶都有獨(dú)特要求。SK海力士堅(jiān)持“客戶永遠(yuǎn)是對(duì)的”原則，根據(jù)需求調(diào)整設(shè)計(jì)。

在即將到來(lái)的 HBM4 競(jìng)爭(zhēng)中，海力士同樣將“定制化”視為制勝的關(guān)鍵方向。

日前，SK 海力士發(fā)布了“全棧式 AI 內(nèi)存創(chuàng)造者（full-stack AI memory creator）”愿景，以應(yīng)對(duì)這一市場(chǎng)變化。其意圖不僅是提供標(biāo)準(zhǔn)化內(nèi)存產(chǎn)品，而是從 AI 半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)階段就與客戶協(xié)同，共同打造“定制化產(chǎn)品”，并提升整體結(jié)果。

本月 5 日，SK 海力士開放了新一批社招崗位，面向“定制內(nèi)存設(shè)計(jì)（custom memory design）”領(lǐng)域招募專家。崗位將開放到 15 日，涉及HBM電路設(shè)計(jì)、物理設(shè)計(jì)和數(shù)字設(shè)計(jì)。

尤其是在“客戶定制化產(chǎn)品”相關(guān)的數(shù)字設(shè)計(jì)體系方面，SK 海力士重點(diǎn)招募擁有 RTL 設(shè)計(jì)、前端和后端經(jīng)驗(yàn)的資深工程師。在招聘公告中，SK 海力士表示，HBM 數(shù)字設(shè)計(jì)體系的職責(zé)包括“與客戶溝通需求、編寫詳細(xì)規(guī)格”，并補(bǔ)充說(shuō)明“團(tuán)隊(duì)將在客戶需求基礎(chǔ)上開展 RTL 設(shè)計(jì)，并與相關(guān)部門共同定義 IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)模塊）的行為規(guī)范”。

除了數(shù)字設(shè)計(jì)體系，SK 海力士在其他社招崗位中也強(qiáng)調(diào)“客戶定制能力”。例如，HBM 電路設(shè)計(jì)體系被定義為“與全球* AI 客戶協(xié)作，主導(dǎo) HBM 技術(shù)的組織”；而物理設(shè)計(jì)體系則“基于代工廠工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）和 EDA 工具，負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)全定制設(shè)計(jì)”。

值得關(guān)注的是，在12月4日發(fā)布的“2026 年組織架構(gòu)調(diào)整與高管任命”中，SK 海力士同樣將重點(diǎn)放在擴(kuò)大定制內(nèi)存業(yè)務(wù)上。公司為定制（Tailored）HBM 封裝新設(shè)立了良率與質(zhì)量專責(zé)組織，稱這是“為及時(shí)應(yīng)對(duì)定制化內(nèi)存市場(chǎng)擴(kuò)張而做出的調(diào)整”。

同時(shí)，公司也將加強(qiáng)與正在自研 AI 芯片的全球科技巨頭的接觸。SK 海力士計(jì)劃在美洲設(shè)立 HBM 技術(shù)專責(zé)組織，以便為客戶提供更及時(shí)的技術(shù)支持。此外，還將組建“全球基礎(chǔ)設(shè)施”組織，加強(qiáng)全球制造競(jìng)爭(zhēng)力，包括在美國(guó)印第安納州建設(shè)先進(jìn)封裝工廠。

在美國(guó)、中國(guó)、日本等關(guān)鍵地區(qū)，公司將設(shè)立“全球 AI 研究中心”，以吸引人才并強(qiáng)化系統(tǒng)研究能力，同時(shí)新設(shè)“Intelligence Hub”這一以客戶為中心的矩陣式組織，將客戶、技術(shù)和市場(chǎng)信息整合到一個(gè) AI 系統(tǒng)中，為客戶提供“超預(yù)期價(jià)值”。

SK 海力士所瞄準(zhǔn)的“定制化內(nèi)存”已經(jīng)在行業(yè)中逐步顯現(xiàn)。一個(gè)典型案例是英偉達(dá)最近公布、目標(biāo)于 2026 年量產(chǎn)的下一代 AI 半導(dǎo)體平臺(tái) Rubin。該平臺(tái)采用 HBM4（第 6 代）作為 GPU 內(nèi)存，CPU 采用 LPDDR5X（低功耗 DRAM），而面向推理優(yōu)化的加速器 CPX 則搭載 GDDR7（圖形 DRAM）。

一位半導(dǎo)體行業(yè)人士指出：“傳統(tǒng)那種把 DRAM 和 NAND 統(tǒng)一掛在 CPU 上的內(nèi)存架構(gòu)正在瓦解，行業(yè)正轉(zhuǎn)向‘按功能優(yōu)化的內(nèi)存架構(gòu)’。能否掌握與之匹配的設(shè)計(jì)與制造能力，正在成為未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵分水嶺?！?/p>

此外，還值得關(guān)注的是SK海力士2026年的擴(kuò)張策略。韓媒報(bào)道稱，SK海力士明年除積極擴(kuò)產(chǎn)HBM外，也將全力擴(kuò)充通用DRAM產(chǎn)能。HBM新增產(chǎn)能主要集中在本季度竣工投產(chǎn)的清州M15X晶圓廠，而通用DRAM新產(chǎn)能將來(lái)自清州M8、利川M10、M14、M16等現(xiàn)有晶圓廠。其預(yù)計(jì)，SK海力士的通用DRAM產(chǎn)能將在2026年擴(kuò)大至每月7萬(wàn)片晶圓，但實(shí)際上有望通過(guò)進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)提前達(dá)到月投片量10萬(wàn)的2027年目標(biāo)。

韓媒還爆料稱，SK海力士與英偉達(dá)談判中占據(jù)上風(fēng)，成功將HBM4價(jià)格上調(diào)超過(guò)50%，單價(jià)約500美元以上，預(yù)期明年?duì)I業(yè)利潤(rùn)可能突破70萬(wàn)億韓元。雖然SK海力士回應(yīng)稱此為“不實(shí)消息”，但市場(chǎng)普遍認(rèn)為HBM4毛利率約達(dá)60%，若維持今年水準(zhǔn)，HBM業(yè)務(wù)明年將創(chuàng)造約25萬(wàn)億韓元營(yíng)業(yè)利潤(rùn)。

對(duì)于已在市場(chǎng)中占據(jù)*地位的海力士而言，強(qiáng)化定制化與持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)是一套穩(wěn)健可靠的雙線策略：一方面通過(guò)深度定制鎖定客戶，另一方面以更大的產(chǎn)能承接需求，整體競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)幾乎立于不敗。

三星，絕地翻盤

對(duì)三星電子而言，2024 年第二季度無(wú)疑是災(zāi)難性的。Counterpoint Research 數(shù)據(jù)顯示，其 HBM 市場(chǎng)份額從去年第四季度的 40% 暴跌至 15%，不僅落后于 SK 海力士（64%），甚至被美光（21%）反超，跌至行業(yè)第三。

然而，谷歌 TPU 生態(tài)系統(tǒng)的擴(kuò)張為三星提供了強(qiáng)勁的反擊窗口。TPU 是谷歌與博通合作打造的 AI 加速芯片，每顆芯片集成 6 至 8 顆 HBM。目前，三星和 SK 海力士是谷歌 TPU 的核心 HBM 供應(yīng)商，今年雙方大致平分了谷歌的供應(yīng)份額，甚至部分月份三星略占優(yōu)勢(shì)。

韓國(guó)券商分析師預(yù)測(cè)：“谷歌第七代 TPU 將在今年采用 HBM3E，明年第八代產(chǎn)品將升級(jí)至 HBM4。三星明年對(duì)谷歌的供應(yīng)量將是今年的兩倍以上?！狈治鋈耸科毡檎J(rèn)為，隨著三星產(chǎn)能快速擴(kuò)張，明年的競(jìng)爭(zhēng)格局很可能發(fā)生逆轉(zhuǎn)。

事實(shí)上，三星近期實(shí)現(xiàn)的反超已經(jīng)開始顯現(xiàn)。根據(jù)來(lái)自韓國(guó)業(yè)內(nèi)的最新消息，三星電子的 HBM 月產(chǎn)能已提升至 17 萬(wàn)片（按晶圓投入計(jì)），超過(guò) SK 海力士的 16 萬(wàn)片，重新奪回行業(yè)*的位置。分析認(rèn)為，這一成績(jī)來(lái)自三星去年下半年以來(lái)持續(xù)推進(jìn)的“刮骨式改革”——包括大規(guī)模將通用 DRAM 產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為 HBM 產(chǎn)線、集中攻克良率瓶頸，以及研發(fā)體系的全面調(diào)整。

三星電子在領(lǐng)導(dǎo)層層面也同步推進(jìn)激進(jìn)改革。11 月 27 日有消息人士透露，三星召開高管會(huì)議，正式確認(rèn) DS（半導(dǎo)體）部門的組織重組：原 HBM 開發(fā)團(tuán)隊(duì)被并入 DRAM 開發(fā)實(shí)驗(yàn)室的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，由副總裁孫英洙出任負(fù)責(zé)人。這次重組正是副會(huì)長(zhǎng)全英賢（Jeon Young-hyun）去年 7 月上任后強(qiáng)力推動(dòng) HBM 戰(zhàn)略的延續(xù)。事實(shí)上，全英賢上任僅兩個(gè)月便成立了 HBM 開發(fā)團(tuán)隊(duì)，并將先進(jìn)封裝（AVP）業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)調(diào)整為直屬管理架構(gòu)。

在新的組織體系下，三星計(jì)劃加速下一代 HBM4／HBM4E 的開發(fā)。目前，三星已向客戶交付 HBM4 樣品，預(yù)計(jì)近期將通過(guò)關(guān)鍵的質(zhì)量認(rèn)證。同時(shí)，三星在向谷歌 TPU大規(guī)模供應(yīng) HBM 方面也獲得突破性進(jìn)展。業(yè)內(nèi)人士指出：“三星加強(qiáng)與英偉達(dá)、AMD、OpenAI 等全球科技巨頭的合作后，已經(jīng)獲得一定程度的 HBM4 相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證，因此將原應(yīng)急性質(zhì)的團(tuán)隊(duì)并入常規(guī)組織，以提高效率并準(zhǔn)備在明年全面擴(kuò)大市占率。”

在組織重整之外，三星真正的底氣依舊在于產(chǎn)能、規(guī)模與 IDM 綜合能力。匯豐銀行數(shù)據(jù)顯示，截至今年底，三星 HBM 月產(chǎn)能約為 15 萬(wàn)片，并預(yù)計(jì)在 2027 年提升到 19 萬(wàn)片。根據(jù)韓國(guó)業(yè)內(nèi)最新數(shù)據(jù)，這一數(shù)字已提前增長(zhǎng)至 17 萬(wàn)片。三星正在加速將平澤園區(qū)的部分 DRAM 產(chǎn)線（P3、P4）轉(zhuǎn)換為用于生產(chǎn) 1c（10nm 級(jí)、第六代）DRAM 的 HBM 產(chǎn)線，也已經(jīng)著手推動(dòng)平澤 P5 廠房建設(shè)，以應(yīng)對(duì)新一輪存儲(chǔ)超級(jí)周期。

隨著定制化 HBM 時(shí)代全面來(lái)臨，三星的 IDM 一體化優(yōu)勢(shì)將被進(jìn)一步放大。SK 海力士選擇與臺(tái)積電組建 One Team 聯(lián)盟，利用臺(tái)積電邏輯工藝生產(chǎn)關(guān)鍵 base die，以突破瓶頸；而三星則亮出其王牌——從設(shè)計(jì)、DRAM、邏輯、到封裝全部自研自造的 turnkey（交鑰匙）模式，依托自家代工工藝生產(chǎn) HBM 的邏輯層，以在效率、時(shí)程與成本上形成整體優(yōu)勢(shì)。

HBM 的利潤(rùn)空間也讓競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。由于 HBM 單價(jià)是傳統(tǒng) DRAM 的 3 至 5 倍，其在 DRAM 總收入中的占比今年將從去年的 8% 躍升至超過(guò) 20%。隨著三星重新奪回 HBM 產(chǎn)能*的位置，并持續(xù)搶占市場(chǎng)份額，其營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率預(yù)計(jì)將明顯改善。尤其在全球大型科技公司（如谷歌、亞馬遜、Meta）加速開發(fā)自有 AI 加速器、并提出多樣化的定制化 HBM4E 需求時(shí)，三星憑借其快速響應(yīng)能力、設(shè)計(jì)整合能力和自有代工工藝，正在掌握越來(lái)越多的主動(dòng)權(quán)。

據(jù)悉，三星已完成 HBM4 的開發(fā)，并在展會(huì)上首次公開展示實(shí)物，預(yù)計(jì)將在 2025 年第四季度上市。量產(chǎn)計(jì)劃基于 10nm 級(jí) 1c DRAM 工藝，目標(biāo)是在速度與能效上取得*。作為 HBM4 量產(chǎn)關(guān)鍵的邏輯層良率已提升至 90%，DRAM 堆疊單元良率也突破量產(chǎn)門檻。

相比美光與 SK 海力士，三星的體量既是負(fù)擔(dān)也是底牌：規(guī)模龐大導(dǎo)致動(dòng)作不夠靈活，卻也為其提供了更強(qiáng)的資源調(diào)度與技術(shù)整合能力。而隨著 AI 巨頭加速自研加速器、對(duì)定制化 HBM 的需求激增，擁有全棧 IDM 能力的三星，反而具備了在下一輪競(jìng)爭(zhēng)中掀起格局重排的潛力。

結(jié)語(yǔ)

美光砍掉29年消費(fèi)品牌豪擲96億美元，SK海力士大刀闊斧重組押注定制化，三星憑借谷歌TPU訂單完成絕地反擊——存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)*的戰(zhàn)略分化。

這場(chǎng)變局的本質(zhì)，是AI時(shí)代對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)范式的徹底重構(gòu)。HBM已不僅是一款產(chǎn)品，更象征著產(chǎn)業(yè)邏輯的全面轉(zhuǎn)向：從規(guī)?；慨a(chǎn)轉(zhuǎn)向精準(zhǔn)定制，從價(jià)格血戰(zhàn)轉(zhuǎn)向技術(shù)壁壘，從多元供應(yīng)轉(zhuǎn)向戰(zhàn)略深度綁定。

在這場(chǎng)轉(zhuǎn)型中，消費(fèi)市場(chǎng)淪為配角，傳統(tǒng)DRAM價(jià)格暴漲，PC供應(yīng)鏈承壓——這些都是AI基礎(chǔ)設(shè)施狂吸存儲(chǔ)資源的連鎖反應(yīng)。而那些在HBM賽道掉隊(duì)、產(chǎn)能捉襟見肘的玩家，都將面臨被邊緣化的宿命。

可以說(shuō)，存儲(chǔ)行業(yè)的游戲規(guī)則已被徹底改寫。群雄逐鹿，鹿死誰(shuí)手，一切尚未可知。